专利名称：HEMT器件及其制造方法专利类型：发明专利发明人：张乃千
申请号：CN200810098656.6申请日：20080605公开号：CN101320750A公开日：20081210
摘要：本发明提供了HEMT器件以及用于制造HEMT器件的方法。根据本发明的一个方面，提供了一种HEMT器件，包括：在衬底上的半导体层；在上述半导体层上的隔离层；与上述半导体层接触的源极和漏极；在上述隔离层上的上述源极和漏极之间的区域上的第一介质层；以及在上述第一介质层上的栅极；其中，上述栅极为双层结构，其中上层为导电层，下层为第二介质层。
申请人：西安能讯微电子有限公司
地址：710075 陕西省西安市高新区高新一路25号创新大厦N701
国籍：CN
代理机构：北京市中咨律师事务所
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