专利名称：一种氮氧化物传感器芯片及其制备方法专利类型：发明专利
发明人：赵芃,谢光远,王文长,曹昊,赵海吉申请号：CN201510376504.8申请日：20150701公开号：CN104931559A公开日：20150923
摘要：本发明涉及一种氮氧化物传感器芯片及其制备方法。其技术方案是：采用丝网印刷方式分次将加热电阻(1)、氮氧化物浓差电池(2)和STF氧敏电阻(3)中的各元件用对应的浆料印刷在氧化铝基片(4)的表面，每次印刷后采用相应的工艺进行烧结，制得氮氧化物传感器芯片。本发明制备的氮氧化物传感器芯片与现有技术相比，具有制备简单和成本低的特点，所制备的氮氧化物传感器芯片测量效果好和能同时测量氮氧化物含量和氧含量。
申请人：武汉科技大学
地址：430081 湖北省武汉市青山区建设一路
国籍：CN
代理机构：武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人：张火春
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