专利名称：硅片及其生产方法专利类型：发明专利
发明人：W·冯阿蒙,G·基辛格,D·科特申请号：CN201410643571.7申请日：20110808公开号：CN104451889A公开日：20150325
摘要：本发明涉及一种氧浓度为5×10-7.5×10cm的硅片，所述硅片在二选一进行以下热过程之后具有以下BMD密度：在780℃下处理3小时并随后在1000℃下处理16小时之后，BMD密度为至多1×10cm；和在以1K/min的加热速率下将该硅片从500℃的起始温度加热到1000℃的目标温度并随后在1000℃下保持16小时之后，BMD密度为至少1×10cm，本发明还涉及一种通过用闪光照射来生产所述硅片的方法。
申请人：硅电子股份公司
地址：德国慕尼黑
国籍：DE
代理机构：永新专利商标代理有限公司
代理人：于辉
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