专利名称：用于增强抗电迁移性的互连结构和制作方法专利类型：发明专利
发明人：D·V·霍拉克,S·波诺斯,杨智超申请号：CN200910145974.8申请日：20090615公开号：CN101609829A公开日：20091223
摘要：提供一种具有增强的抗电迁移性的互连结构，其中过孔开口的下部包括多层衬垫。该多层衬垫从电介质材料的构图表面向外包括扩散阻挡层、多材料层和含金属的硬掩膜。多材料层包括：第一材料层，包括来自下方电介质盖层的残留物；以及第二材料层，包括来自下方金属盖层的残留物。本发明也提供一种制作这样的互连结构的方法，该互连结构在电介质材料内形成的过孔开口的下部内包括多层衬垫。
申请人：国际商业机器公司
地址：美国纽约阿芒克
国籍：US
代理机构：北京市金杜律师事务所
代理人：王茂华
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