专利名称：形成安装在基板上的半导体器件的方法专利类型：发明专利发明人：江森正臣
申请号：CN201810150056.3申请日：20180213公开号：CN108461408A公开日：20180828
摘要：本发明披露了一种形成半导体器件的方法。该方法包括以下步骤：将含有Ni的第一金属层沉积在基板的背面，镀敷基板的背面，从而使刻线部分中的第一金属层露出，将第三金属层沉积在基板的整个背面，并且选择性地去除刻线部分中的第三金属层，从而将第一金属层留在刻线中。
申请人：住友电工光电子器件创新株式会社
地址：日本神奈川县
国籍：JP
代理机构：北京天昊联合知识产权代理有限公司
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