专利名称：一种高压IGBT器件的饱和电压降测量电路专利类型：发明专利发明人：黄俭,高存旗,刘杰申请号：CN201910100395.5申请日：20190131公开号：CN109633223A公开日：20190416
摘要：本发明提供了一种高压IGBT器件的饱和电压降测量电路，包括待测IGBT，待测IGBT的栅极输入饱和电压，待测IGBT的漏极接地，还包括电流镜单元、充放电单元以及限流保护单元；电流镜单元具有电源端、控制端以及输出端，电流镜单元的电源端输入第一电流，电流镜单元的控制端输入执行信号；充放电单元具有充电端、放电端以及接地端，充放电单元的充电端输入充电电流；限流保护单元具有控制端、输入端以及输出端，限流保护单元的控制端耦接于电流镜单元的输出端，限流保护单元的输入端耦接于充放电单元的放电端，限流保护单元的输出端耦接于待测IGBT的源极，达到可以将示波器挂在IGBT元件的集电极‑发射极之间测电压。
申请人：深圳芯能半导体技术有限公司
地址：518000 广东省深圳市龙岗区龙岗街道南约社区华丰数码科技园八栋二楼
国籍：CN
代理机构：深圳众鼎专利商标代理事务所(普通合伙)
代理人：黄章辉
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