专利名称：气隙结构和方法专利类型：发明专利发明人：丁致远,谢志宏申请号：CN201510205243.3申请日：20150427公开号：CN106158827A公开日：20161123
摘要：一种器件包括位于第一介电层中的第一沟槽的侧壁和底部上方的第一保护层、位于第一保护层上方的第一阻挡层、位于第一沟槽中的第一金属线、位于第一介电层中的第二沟槽的侧壁和底部上方的第二保护层、位于第二保护层上方的第二阻挡层、位于第二沟槽中的第二金属线、位于第一沟槽和第二沟槽之间的气隙以及位于第一介电层中的第三沟槽的侧壁上方的第三保护层，其中，第一保护层、第二保护层和第三保护层由相同的材料形成。本发明实施例涉及气隙结构和方法。
申请人：台湾积体电路制造股份有限公司
地址：中国台湾新竹
国籍：TW
代理机构：北京德恒律治知识产权代理有限公司
更多信息请下载全文后查看
因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容