专利名称：半导体结构及其应用、尤其是限制过电压的应用专利类型：发明专利
发明人：弗朗茨·迪茨,米夏埃多·格拉夫申请号：CN200410079820.0申请日：20040920公开号：CN1599069A公开日：20050323
摘要：半导体结构，具有：一个衬底；一个第一导电类型的半导体层，该层设置在衬底上及通过一个绝缘层与衬底隔开；第二导电类型的、构成在半导体层中的彼此间隔开的第一及第二层；第一导电类型的、构成在半导体层中的第三层，它与第二层形成接触；与第一层相接触的第一电极；与第二及第三层相接触的第二电极；第一导电类型的、构成在半导体层中的第四层，该层包围第二及第三层，其中该层分别与第二及第三层直接接触；及第一导电类型的、构成在半导体层中第一层下面的、具有相对该半导体层增高的搀杂的第五层；其中第一层基本上环形地围绕着第二、第三及第四层。该可单片集成的半导体结构，除应用于集成电路上过电压的可靠限制外也适于用作普通二极管。
申请人：ATMEL德国有限公司
地址：联邦德国海尔布隆
国籍：DE
代理机构：永新专利商标代理有限公司
代理人：曾立
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