专利名称：一种具有新型掺杂GaP层的AlGaInP发光二极管专利类型：发明专利
发明人：李树强,徐现刚,夏伟,张新,任忠祥,张成山,赵克家申请号：CN200710013840.1申请日：20070326公开号：CN101030615A公开日：20070905
摘要：本发明属于光电子技术领域，提供了一种具有新型P型掺杂GaP层的AlGaInP发光二极管，其外延材料结构自下至上依次为N型GaAs缓冲层、N型AlGaAs过渡层、N型(AlGa)InP下限制层、(AlGa)InP发光区、P型(AlGa)InP上限制层和P型电流扩展层，该发光二极管使用GaP材料作为AlGaInP发光二极管的电流扩展层，GaP电流扩展层采用碳元素进行掺杂，掺杂浓度高于1×10cm。由于C掺杂具有很小的扩散系数，性质稳定，电流扩展能力高，因而提高了AlGaInP发光二极管的电流扩展能力和稳定性。
申请人：山东华光光电子有限公司
地址：250101 山东省济南市高新技术开发区天辰大街1835号
国籍：CN
代理机构：济南圣达专利商标事务所
代理人：王书刚
更多信息请下载全文后查看
因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容