专利名称：用于太阳能电池制造的沉积半导体薄层的技术和装
置
专利类型：发明专利发明人：B·M·巴索
申请号：CN200910208854.8申请日：20050315公开号：CN101894881A公开日：20101124
摘要：本发明涉及用于太阳能电池制造的沉积半导体薄层的技术和装置，其以不同实施方式有利地提供低成本沉积技术以形成高质量、致密、良好粘附的并具有宏观尺度和微观尺度组成均匀的IBIIIAVIA化合物薄膜。在一个实施方式中，提供在基底上生长IBIIIAVIA族半导体层的方法。该方法包括在基底上沉积IB族材料薄膜和至少一层IIIA族材料，相互混合IB族材料和至少一层IIIA族材料以形成相互混合的层，在相互混合的层上形成包括至少一层IIIA族材料亚层和IB族材料亚层的金属薄膜。还描述了其它实施方式。
申请人：索罗能源公司
地址：美国加利福尼亚
国籍：US
代理机构：中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人：殷骏
更多信息请下载全文后查看
因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容