专利名称：一种新型IGBT半桥模块结构专利类型：实用新型专利
发明人：邱秀华,邱嘉龙,朱永斌,何祖辉申请号：CN202021338541.2申请日：20200709公开号：CN212542429U公开日：20210212
摘要：本实用新型公开了一种新型IGBT半桥模块结构，包括基板，所述基板的底部固定连接有导热层，所述导热层的底部固定连接有散热片，所述散热片的底部固定连接有冷却板，所述冷却板的内腔固定连接有冷却管，所述基板的顶部固定连接有焊接层，两侧焊接层的顶部均固定连接有DBC板，所述DBC板相反的一侧开设有凹槽，所述凹槽内壁的底部固定安装有温度传感器，所述DBC板顶部的中端固定连接有铜板。本实用具备防护性好的优点，解决了现有的IGBT半桥模块在工作的过程中防护性较差，不便于对IGBT半桥模块工作时的温度进行检测，并对IGBT半桥模块进行散热，不便于对IGBT半桥模块的静电进行消除，容易影响IGBT半桥模块使用寿命的问题。
申请人：浙江天毅半导体科技有限公司
地址：312000 浙江省绍兴市越城区平江路328号6幢一层
国籍：CN
代理机构：北京劲创知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人：曹玉清
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