专利名称：一种多温区砷化镓合成装置专利类型：实用新型专利
发明人：于会永,冯佳峰,王文昌,赵春峰,袁韶阳,荆爱明,穆成
锋,张军军
申请号：CN201821981567.1申请日：20181129公开号：CN209210417U公开日：20190806
摘要：本实用新型涉及一种合成装置，尤其为一种多温区砷化镓合成装置，包括反应器外壳体、反应器内壳体、第一反应腔、第二反应腔和第三反应腔，所述反应器外壳体的底部固定安装有支撑架，所述支撑架上固定连接有安装板，所述反应器外壳体底部固定安装有三组导出器，所述反应器外壳体基面固定安装有三组观察窗口，所述反应器外壳体顶部固定安装有三组第一导入器和第二导入器，所述第一导入器、第二导入器和导出器均包括导管、活塞、推把和出进液管，所述活塞和推把通过连接杆固定连接，所述反应器外壳体的内部固定安装有反应器内壳体，本实用新型整体装置结构简单，安全系数高，方便快捷，多温区，具有一定的推广作用。
申请人：大庆溢泰半导体材料有限公司
地址：163000 黑龙江省大庆市高新区火炬新街36号新兴产业孵化器(园区)3号210房间
国籍：CN
更多信息请下载全文后查看
因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容