专利名称：一种含硅材料及其制备方法和应用专利类型：发明专利
发明人：涂飞跃,方自力,杨乐之,彭青姣,余林遇,罗磊,封青阁,
覃事彪
申请号：CN202011081594.5申请日：20201012公开号：CN111933917A公开日：20201113
摘要：本发明公开了一种含硅材料及其制备方法和应用，包括硅氧化物颗粒和硅酸盐矿物颗粒，硅酸盐矿物颗粒分散在硅氧化物颗粒的内部和表面；或硅酸盐矿物分散在硅氧化物颗粒的内部或表面。含硅材料的制备方法，包括以下步骤：（1）准备所需原料，将硅和二氧化硅混合后加热沉积得到沉积物，将沉积物粉碎得到硅氧化物颗粒；（2）将硅氧化物颗粒与含钙化合物混合，在特定条件下激发进行反应，得到含硅材料。本发明的含硅材料应用于负极材料时能够降低嵌锂和释锂时材料的体积效应，从而提高电池的首次循环效率以及安全性能，同时对负极活性材料对水敏感的问题也有一定的改善作用。本发明的制备方法工艺简单、操作简便、产能高，可适用于大规模产业化生产。
申请人：长沙矿冶研究院有限责任公司
地址：410000 湖南省长沙市岳麓区麓山南路966号
国籍：CN
代理机构：长沙朕扬知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人：杨斌
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