一种制作金属栅极的方法[发明专利]

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专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：一种制作金属栅极的方法专利类型：发明专利发明人：周鸣,平延磊

申请号：CN201210420931.8申请日：20121029公开号：CN103794486A公开日：20140514

摘要：本发明公开了一种制作金属栅极的方法，该方法包括：在制作金属栅极过程中，采用电镀的方式形成金属栅极层，该金属栅极层采用钛铝合金，这与形成功函数金属层所采用的沉积方式不同，则金属含量不同，在MOSFET工作时，扩散到p型MOSFET的阻挡层和n型MOSFET的扩散量也不同，对于p型沟道MOSFET和n型沟道MOSFET金属栅极层中的铝扩散到功函数金属层的离子数量不同，这样，在保证p型沟道MOSFET的功函数值达到极值时，提高性能，n型沟道MOSFET的第二阻挡层中从金属栅极层所扩散的铝也比较少，不会降低阻挡层的介电常数值，从而使得不会降低性能。因此，本发明提供的方法可以使得所制作的MOSFET器件的总体性能提高。

申请人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

地址：201203 上海市浦东新区张江路18号

国籍：CN

代理机构：北京德琦知识产权代理有限公司

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