第５３卷第８期 ２０１３年８月 电讯技术 Ｔｅｌｅｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｖｏ１．５３ Ｎｏ．８ Ａｕｇ．２０１３ ｄｏｉ：１０．３９６９／ｊ．ｉｓｓｎ．１００１—８９３ｘ．２０１３．０８．０２０ 低损耗双谐振微带带通滤波器设计 李 勇 ，，邹传云２ （１．成都理工大学工程技术学院，四川乐山６１４００７；２．西南科技大学信息工程学院，四川绵阳６２１０１０） 摘要：为了既满足实现双谐振的零度馈电结构，又能实现阻抗匹配，采用双点双线馈电技术和具有 开口环、阶跃阻抗谐振双重特性的结构设计双通带滤波器。版图仿真结果表明：两个谐振频率分别 为２．７ ＧＨｚ和５．０５ ＧＨｚ，符合射频电子标签所需的两路信号，其对应的回波损耗分别为一３８ ｄＢ和 一４９ ｄＢ，插入损耗为一０．２ ｄＢ和一０．４ ｄＢ，从而实现了低损耗特性和尖锐的选择性。 文献标志码：Ａ 文章编号：１１３０１—８９３Ｘ（２０１３）０８—１０７４—０５ 关键词：微带带通滤波器；双点双线馈电；阶跃阻抗谐振器；开口环；双通带 中图分类号：ＴＮ７１３ Ｄｅｓｉｇｎ ｏｆ ａ Ｌｏｗ Ｌｏｓｓ Ｍｉｃｒｏｓｔｒｉｐ Ｂａｎｄｐａｓｓ Ｆｉｌｔｅｒ ｗｉｔｈ Ｄｏｕｂｌｅ Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ ＬＩ Ｙｏｎｇ ．Ｚ０Ｕ Ｃｈｕａｎ—ｖｕ （１．ＣｏＨｅｇｅ ｏｆ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ ａｎｄ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，Ｃｈｅｎｇｄｕ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ ｏｆ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，Ｌｅｓｈａｎ ６１４００７，Ｃｈｉｎａ； ２．ＣｏＨｅｇｅ ｏｆ Ｉｎｆｏｒｍａｔｉｏｎ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，Ｓｏｕｔｈｗｅｓｔ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ ｏｆ Ｓｃｉｅｎｃｅ ａｎｄ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，Ｍｉａｎｙａｎｇ ６２１０１０，Ｃｈｉｎａ） Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｉｎ ｏｒｄｅｒ ｔｏ ｒｅａｌｉｚｅ ｉｍｐｅｄａｎｃｅ ｍａｔｃｈｉｎｇ ａｎｄ ｍｅｅｔ ｔｈｅ ｚｅｒｏ ｆｅｅｄ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ ｗｈｉｃｈ ｒｅａｌｉｚｅｓ ｄｏｕｂｌｅ ｒｅｓｏ． ｎａｎｃｅ，ｄｏｕｂｌｅ ｐｏｉｎｔ ｄｕａｌ ｆｅｅｄ ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ａｎｄ ｄｏｕｂｌｅ ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ ｏｆ ｓｐｌｉｔ ｒｉｎｇ ａｎｄ ＳＩＲ ａｒｅ ａｄｏｐｔｅｄ ｔｏ ｄｅｓｉｇｎ ａ ｄｏｕｂｌｅ ｂａｎｄｐａｓｓ ｆｉｌｔｅｒ．Ｔｈｅ ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ ｒｅｓｕｌｔｓ ｓｈｏｗ ｔｈａｔ ｔｗｏ ｒｅｓｏｎａｎｔ ｆｒｅｑｕｅｎｃｉｅｓ ａｒｅ ２．７ ＧＨｚ ａｎｄ ５．０５ ＧＨｚ．ｗｈｉｃｈ ｃｏｒｒｅｓｐｏｎｄ ｄｉｒｅｃｔｌｙ ｗｉｔｈ ｔｈｅ ｔｗｏ ｃｈａｎｎｅｌｓ ｓｉｇｎａｌ ｏｆ ｒａｄｉｏ ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ ｌａｂｅ１． ｎ１ｅ ｃｏｒ— ｒｅｓｐｏｎｄｉｎｇ ｅｃｈｏ ｌｏｓｓｅｓ ａｌｅ一３８ ｄＢ ａｎｄ一４９ ｄＢ．ａｎｄ ｔｈｅ ｉｎｓｅｒｔ ｌｏｓｓｅｓ ａｒｃ一０．２ ｄＢ ａｎｄ一０．４ ｄＢ．ｔｈｅｒｅｂｙ ｔｏ ｒｅａｌｉｚｅ ｔｈｅ ｌｏｗ ｌｏｓｓ ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓ ａｎｄ ｓｈａｒｐ ｓｅｌｅｃｔｉｖｉｔｙ． Ｋｅｙ ｗｏｒｄｓ：ｍｉｃｒｏｓｔｒｉｐ ｂａｎ＠ａｓｓ ｆｉｌｔｅｒ；ｄｏｕｂｌｅ ｐｏｉｎｔ ｄｕａｌ ｆｅｅｄ；ｓｔｅｐ ｉｍｐｅｄａｎｃｅ ｒｅｓｏｎａｔｏｒ；ｓｐｌｉｔ ｉｒｎｇ；ｄｏｕｂｌｅ ｂａｎｄｐａｓｓ 计和实现等特点而广泛使用，而且在不减小无载Ｑ １ 引 言 微带带通滤波器是无线通信系统的重要组成部 件，其性能的优劣直接关系到整个通信系统，要求损 耗特性好、通带选择性高ｌ 。实现微带带通滤波器 的方法主要有开口环结构Ｅ２ Ｊ、平行耦合微带线结 值的前提下，能够有效缩短ＳＩＲ谐振器的物理长 度 Ｊ。文献［４—５］就是基于ＳＩＲ设计滤波器，无论 是采用直接馈电ｌ Ｊ还是间接耦合馈电ｌ Ｊ实现双通 带，其馈电点位置均符合零度馈电结构＿８ Ｊ，双通带的 实现其实是基于此结构；但是零度馈电结构限制了 两个馈电点的位置，而本文通过仿真证明了馈电点 构【 、阶梯阻抗谐振器结构【 Ｊ。其中，Ｓｔｅｐ Ｉｍｐｅｄａｎｃｅ Ｒｅｓｏｎａｔｏｒ（以下简称ＳＩＲ）阶梯阻抗谐振微 位置的改变对阻抗匹配有益。同时，文献［４—６］也 反映出如果阻抗匹配度不够好，则滤波器的回波损 耗、插入损耗特性和选择性就相对较差；另外，本文 带滤波器设计方法因其电路结构简洁、相对便于设 ＊收稿日期：２０１２—１１—１５；修回日期：２０１３—０２—２７ Ｒｅｃｅｉｖｅｄ ｄａｔｅ：２０１２—１１—１５；Ｒｅｖｉｓｅｄ ｄａｔｅ：２０１３—０２—２７ 基金项目：国家自然科学基金资助项目（６１０７５０３０） Ｆｏｕｎｄａｔｉｏｎ Ｉｔｅｍ：Ｔｈｅ Ｎａｔｉｏｎａｌ Ｎａｔｕｒｌａ Ｓｃｉｅｎｃｅ Ｆｏｕｎｄａｔｉｏｎ ｏｆ Ｃｈｉｎａ（Ｎｏ．６１０７５０３０） ＊ ・通讯作者：２６１７８９８４７＠ｑｑ．ｃｏｎ Ｃｏｒｒｅｓｐｏｎｄｉｎｇ ａｕｔｈｏｒ：２６１７８９８４７＠ｑｑ．ｃｏｎ １０７４・ 第５３卷 李勇，邹传云：低损耗双谐振微带带通滤波器设计 第８期 通过仿真证明了馈电点位置的改变破坏了零度馈电 结构，则滤波器只能实现一个通带。为了解决这一 矛盾，本文采用双点双线馈电形式，既满足馈电点的 零度馈电结构，又能很好地实现阻抗匹配。 ２阶梯阻抗谐振器的原理【５，９Ｊ 阶梯阻抗谐振器（ＳＩＲ）是由两个及以上具有相 异特征阻抗的传输线组合形成的横向电磁场或者准 横向电磁场模式的一种谐振器结构。ＳＩＲ结构分为 四分之一波长型、半波长型和一倍波长型３种，由于 本文主要是基于半波长型ＳＩＲ结构进行设计的，所 以只介绍半波长型ＳＩＲ原理。 图１半波长型ＳＩＲ基本结构 Ｆｉｇ．１ Ｂａｓｉｃ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ ｏｆ ｈａｌｆｗａｖｅ ｔｙｐｅ ＳＩＲ 图１是典型的半波长型ＳＩＲ阶跃谐振器的基本 结构，它分为开路截面、短路截面，以及它们之间的 阻抗阶跃接合面，整个基本结构是由两个四分之一 波长型结构合并而成。图中ｚ 和ｚ２分别是表征 ＳＩＲ两段传输线阻抗的电学参数，其对应的电长度 分别是 １和０２；阻抗ｚ１和ｚ２的比值（阻抗率）定义 如下： Ｒｚ＝Ｚ２／Ｚｌ （１） 两段传输线对应的导纳分别为】，１和ｙ２，那么由 开路截面看进去的输入导纳 可表示为 Ｙ． ， ２（ ｔａｎ０ｌ＋ｔａｎ０２）（ 一ｔａｎ０１ｍｎ０２） ，，’、 ｉｎ Ｊ 如果要实现谐振，那么必有输人导纳Ｙｉ ＝０，则由式 （２）可得到谐振条件为 ＝ ＝ｔａｎ０１ｔａｎ０２ （３） 显然，从式（３）能看出ＳＩＲ的谐振条件取决于电 长度０ 和 ２，以及阻抗比率 。以前常用的均匀 阻抗谐振器（ＵＩＲ）的谐振与否只是取决于唯一的条 件，即传输线的长度，然而对于ＳＩＲ结构，则需要同 时考虑电长度和阻抗比率。所以ＵＩＲ比ＳＩＲ少了一 个设计的自由度。 为了利于设计简单化，可以选取０。＝０ ＝ 。 如果采用较小的阻抗比值，可以缩短ＳＩＲ谐振器的 电长度，但是最大ＳＩＲ长度不能超过对应ＵＩＲ长度 的２倍。在上述条件下，ＳＩＲ阶跃谐振器的谐振条 件和输入导纳可以分别写为 ０＝ ＝ａｒｃｔａｎ（ ） （４） ㈤ ３微带滤波器建模及仿真分析 根据第２节阶梯阻抗谐振器（ＳＩＲ）的理论分析， 本文选取两段相异阻抗分别为Ｚｌ：５０ ｎ、Ｚ２＝７５ Ｑ， 为了计算方便，选取 ｌ＝ ２，从而由式（３）、（４）算出各 自的电长度０】＝０２＝ａｒｅｔａｎ（￣／ ）＝５０．８，然后估算出 对应的物理长度和宽度，并在ＡＤＳ Ｌａｙｏｕｔ中建模。因 为原理图仿真不会考虑边缘效应、耦合等因素，而 ＡＤＳ Ｌａｙｏｕｔ采用矩量法，逼近ＰＣＢ级电磁特性，所以 其准确性、可靠性远远高于原理图仿真。 初次建模的版图如图２所示：建模的时候为了 有效减小滤波器的物理尺寸，就对ＳＩＲ结构进行弯 折；为了实现双通带，可以通过不对称的零度馈电结 构引入两个传输零点。 届 图２初次版图结构 Ｆｉｇ．２ Ｐｒｉｍａｒｙ ｌａｙｏｕｔ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ 观察图２，版图的两臂弯折后，不仅是ＳＩＲ阶梯 阻抗结构，同时具备了开口环特性＿２Ｊ：两个谐振单元 属于电耦合方式，为了省去繁琐的计算，可以采用电 磁仿真软件辅助提取出耦合系数。利用电磁仿真软 件ＡＤＳ对双耦合单元结构进行仿真，得到耦合谐振 器的两个谐振峰值频率分别为．厂ｌ和。厂２，则耦合系数 表示为 ： 歹 （６） 通过ＡＤＳ Ｌａｙｏｕｔ仿真的结果如图３所示，（ｂ）中 回波损耗曲线ｓ１１反映出的两个谐振点ｍｌ、ｍ２，即 实现双通带。注意图２中两个馈电端口ｆｅｄｌ、ｆｅｄ２ 分别在距离中心枝节ｈ的上下两端，也就是不对称 ・１０７５・ ｗｗｗ．ｔｅｌｅｏｎｌｉｎｅ．ｃｎ 电讯技术 ２０１３年 ＾Ｈ冒０ ｏ（１０． ８ ｚＩ王Ｅ）ｏｏｏ．＿【 的零度馈电结构，信号经过两个通路后的相位延迟 是相同的，相位延迟之差为０。，于是证明了引言中提 及的零度馈电结构实现双频带。但是观察回波损耗 Ｓ１１，其数值不到一ｌ０ ｄＢ，说明阻抗匹配度不好，图 ３（ａ）证明了这一点：归一化阻抗为０．４８６＋ｉ０．６３３， 相比理想匹配值１误差较大。 （ａ）史密斯阻抗圆圈 （ｂ）回波损耗曲线 图３初次仿真结果 ＾ ０ ０００．Ｆｉｇ．３ Ｆｉ ３ ｚｌｒｓｔ１０ｏ００． ｓｉｍｕｌａｔｉ＿【 ｏｎ ｒｅｓｕｌｔｓ 如果将图２中加载的开路枝节ｚｈｉ微带线去掉， 即其尺寸为０时，其仿真结果如图４所示，可以看 出：第二谐振中心频点发生明显改变；说明加载的枝 节影响双频带的高频中心频点位置，加载枝节相当 于引人新的电抗，通过调节枝节物理尺寸，可对偶模 频率即第二谐振带特性进行调节。同时，图４（ｂ）中 ｍ１点回波损耗大于ｍ２点，因为（ａ）中ｍ４点 （５．７３１ ＧＨＺ）对应回波损耗ｍ２点的归一化阻抗为 １．２０１＋ｉ０．２２７，相比ｍｌ点（２．６０２ ＧＨＺ）的归一化阻 抗１．２３９一ｉ０．９４０来说，ｍ２频点的归一化阻抗虚部 更趋近于０，实部更趋近１，这也证明了引言中提及 的说法：阻抗匹配度不够好，则滤波器的回波损耗、 插入损耗特性和选择性就相对较差。 、』ｒ ¨、 兽 ＾、‘ ｉ １ ｆ ． 』叶ｉｄＢ （ｈ’７一 一蚰 ． ｔ－＇，ｔ ｔ － ｌ＿ （ 忡蚋 ＿ ｆ／ＧＩ＇Ｉｚ （ａ）史密斯阻抗圆图 （ｂ）回波损耗曲线 图４枝节为０的结果 Ｆｉｇ．４ Ｒｅｓｕｌｔｓ ｗｉｔｈｏｕｔ ｓｉｄｅ 将图２中馈电点ｆｅｄｌ的位置进行移动，那么滤波 器的输入阻抗将会变化，可以发现当它移动到ｈ＝０ ・１０７６・ 处时，阻抗实现较好匹配，其仿真结果如图５所示。 （ａ）史密斯阻抗圆圈 （ｂ）回波损耗曲线 图５馈电点位置的影响 Ｆｉｇ．５ Ｔｈｅ ｉＩｆｌｕｅｎｃｅ ｏｆ ｆｅｅｄ ｐｏｉｎｔ ｐｏｓｉｔｉｏｎ 从图５（ａ）中可以看出，归一化阻抗为１．０１４一 ｉ０．０１６，实部接近理想匹配值１，虚部趋近于０，如此 好的阻抗匹配，则图（ｂ）中的回波损耗达到 一３９．６１５ ｄＢ，损耗小，且具有尖锐的选择性，这也说 明馈电点越靠近开口中心，馈线越靠近于虚地，可使 得外部Ｑ值增大。 但是，尽管实现了阻抗匹配和较低的损耗，但是 破坏了零度馈电结构，导致只有一个谐振点 ４．９９ ＧＨｚ。由此看出：馈电点位置改变不能同时满 足零度馈电结构和阻抗匹配，因此本文采用双点双 线馈电形式，既满足馈电点的零度馈电结构，又能很 好地实现阻抗匹配，同时要根据谐振频点修改中心 枝节的长度，其优化后的结构如图６所示。 图６优化后的版图 Ｆｉｇ．６ Ｏｐｔｉｍｉｚｅｄ ｌａｙｏｕｔ 图６中，ｗ５、ｈ５、ｈ６、ｈ７是双点双线馈电结构尺 寸，整个版图具体尺寸如下：Ｗ１＝１．４ １３３１３３，ｗ２＝ ０．７５ ｍｉｎ，ｗ３＝６．１ ｍｉｎ，ｗ４＝３．１５ ｒａｉｎ，ｗ５＝１．６ ｍｌｎ， ｈ１＝６．１５２／ｌＣｌｌＴｌ，ｈ２＝２．４ ｍ／ｎ，ｈ３＝２．１８ⅡⅡｎ，ｈ４＝ １．５４ ｒａｉｎ，ｈ５＝０．３３ １ＴＩＩＴＩ，ｈ６＝１．４２６ ｍｎ＇ｌ，ｈ７： １．７３ ｉｎｎｌ，ｇｌ＝０．５７ ｍｉｌｌ，ｇ２＝０．１５６ ｎｌｌｎ。介电常数 为１０．２，板厚为１ ｉｎｉｎ。通过ＡＤＳ Ｌａｙｏｕｔ仿真，其ｓ 参数曲线见图７和图８。 第５３卷 李勇，邹传云：低损耗双谐振微带带通滤波器设计 第８期 图７回波损耗与插入损耗 Ｆｉｇ．７ Ｒｅｔｕｒｎ ｌｏｓｓ ａｎｄ ｉｎｓｅｒｔｉｏｎ ｌｏｓｓ ｌ ２００ ｒ ‘ ； ’ ＼； ， — ～ ＼ Ｉｊ ＼ １．１‘Ｉ＿Ｊ。 ｌ ２ ３ ４ ５ ６ ｆ／ＧＨｚ 图８相频特性 Ｆｉｇ．８ Ｐｈａｓｅ／ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓ ４仿真结果比较 由图７可以看出：第一通道的中心频率约为 ２．７ ＧＨｚ，一３ ｄＢ相对带宽约为５．６％；第二通道的中 心频率约为５．０５ ＧＨｚ，一３ ｄＢ相对带宽约为５．７％。 从回波损耗Ｓ１１参数来看：第１和第２通带中心频 率对应的回波损耗分别为一３８ ｄＢ和一４９ ｄＢ左右。 从插入损耗￥２１参数来看：第一通带内插入损耗在 ０．２ ｄＢ左右，第二通带的插入损耗在０．４ ｄＢ左右。 而且两个通道的带外杂波抑制特性较好：２．７ ＧＨｚ通 道带外低频处（１ ＧＨｚ）的杂波插入损耗将近 一３０ ｄＢ，５．０５ ＧＨｚ通道带外高频处（６ ＧＨｚ）的杂波 插入损耗也逼近一３Ｏ ｄＢ，由式（６）可以算出耦合系 数 为０．５６。由图８相频特性曲线可以看出：第一 通带和第二通带的带内相位都是呈线性关系的，证 明群延时特性较好。 文献［４—６］都对微带双频带通滤波器进行了研 究与设计，而且均以阶跃阻抗谐振器为设计基础。 其中文献［６］的结果表明通带带外特性较好，但是它 的通带插入损耗￥２１达到５ ｄＢ，与本文及文献［４］、 ［５］同类参数的差距较大，故只将本文的仿真结果与 文献［４］、［５］的仿真结果进行参数性能比较。如表 １所示，每一项内容的两个数据分别代表第一、第二 通带。 表１仿真结果比较 Ｔａｂｌｅ １ Ｓｉｍｕｌａｔｅｄ ｒｅｓｕｌｔｓ ｃｏｍｐａｒｉｓｏｎ 从表１中看出，文献［４］的第二通带带外杂波抑 制和第一通带的相对带宽比本文好，但是选择性变 差，其他参数相对较差；文献［５］的第一通带带外杂波 抑制和两个通带的相对带宽比本文好，其中第二通带 相对带宽如此高的原因是第二通带中心频点的Ｓ１１ 参数高低起伏（峰值在一２０ ｄＢ左右），拓宽了相对带 宽，但是它也会让第二通带中心频点的￥２１曲线平坦 度相对变差，而且选择性变差；其他参数则比本文差。 从与滤波器性能关系最为密切的回波损耗Ｓｌｌ、插入 损耗￥２１参数来看，本文的设计优势明显。 ５结束语 三维电磁仿真软件的仿真结果表明：采用的双 点双线馈电形式满足了馈电点的零度馈电结构，实 现了双通带，又能很好地匹配阻抗，滤波器有相对较 低的损耗和尖锐的选择性；两个谐振点２．７ ＧＩ－Ｉｚ和 ５．０５ ＧＩ－Ｉｚ满足射频电子标签所需的两路信号。与同 类设计的仿真结果比较，本设计各个参数特性较好， 说明该设计方法对微带滤波器的设计有着较好的借 鉴意义。如果后期的电子标签微带天线和其他电路 设计完成，该微带滤波器与其同时集成到一起进行 实物加工，用矢量网络分析仪对系统实物进行实测， 然后根据结果进行尺寸上的微小调整，则可以应用 到射频电子标签。 参考文献： ［１］Ｍｉｙａｋｅ Ｈ，Ｋｉｔａｚａｗａ Ｓ，Ｉｓｈｉｚａｋｉ Ｔ，ｅｔ ａ１．Ａｍｉｎｉａｔｕｒｉｚｅｄ ｍｏｎｏ． １ｉｔｈｉｃ ｄｕｄ ｂａｎｄ ｆｉｌｔｅｒ ｕｓｉｎｇ ｃｅｒａｍｉｃｌａｍｉｎａｔｉｏｎ ｔｅｃｈｎｉｑｕｅ ｆｏｒ ｄｕａｌ ｍｏｄｅ ｐｏｒｔａｂｌｅ ｔｅｌｅｐｈｏｎｅｓ［Ｃ］／／Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ ｏｆ １９９７ ＩＥＥＥ ＭＴＦ－Ｓ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ．Ｄｅｎｖｅｒ， Ｃｏｌｏｒａｄｏ：ＩＥＥＥ，１９９７：７８９—７９２． ［２］吴国春．微带开口环电调滤波器设计［Ｄ］．西安：西安电 子科技大学，２０１０． ＷＵ Ｇｕｏ—ｃｈｕｎ．Ｄｅｓｉｇｎ ｏｆ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃａｌｌｙ Ｔｕｎａｂｌｅ Ｆｉｌｔｅｒｓ Ｂａｓｅｄ ｏｎ Ｍｉｅｍｓｔｉｆｐ Ｏｐｅｎ Ｌｏｏｐ Ｒｅｓｏｎａｔｏｒｓ［Ｄ］．Ｘｉ ａｎ：Ｘｉｄｉａｎ Ｕｎｉ— ｖｅｒｓｉｔｙ，２０１０．（ｉｎ Ｃｈｉｎｅｓｅ） ［３］甘本祓，吴万春．现代微波滤波器的结构与设计［Ｍ］． 北京：科学技术出版社，１９９３． ＧＡＩＮ Ｂｅｎ－ｂｏ，ＷＵ Ｗａｎ—ｅｈｕｎ．Ｔｈｅ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ ａｎｄ ｄｅｓｉｇｎ ｏｆ ・１０７７・ ＷＷＷ．ｔｅｌｅｏｎｌｉｎｅ．ｅｎ 电讯技术 ２０１３正 ｍｏｄｅｍ ｍｉｃｒｏｗａｖｅ ｉｆｌｔｅｒｌＭ Ｊ．Ｂｅｉｊｉｎｇ：Ｓｃｉｅｎｃｅ ａｎｄ Ｔｅｃｈｎｏｌｏ— ｇＹ Ｐｕｂｌｉｓｈｉｎｇ Ｈｏｕｓｅ，１９９３．（ｉｎ Ｃｈｉｎｅｓｅ） ［４］马德臣，肖中银，相亮亮，等．采用折叠型阶跃阻抗谐振 器的新颖双频带带通滤波器［Ｊ］．上海大学学报．２０１２， １８（４）：３３１—３３４． ＭＡ Ｄｅ—ｃｈｅｎ，ＸＩＡＯ Ｚｈｏｎｇ－ｙｉｎ，ＸＩＡＮＧ Ｈａｎｇ—ｌｉａｎｇ，ｅｔ ａ１． Ｃｏｍｐａｃｔ Ｄｕａｌ—Ｂａｎｄ Ｂａｎｄｐａｓｓ Ｆｉｌｔｅｒ Ｕｓｉｎｇ Ｆｏｌｄｅｄ Ｓｔｅｐｐｅｄ ｈｎｐｅｄａｎｃｅ Ｒｅｓｏｎａｔｏｒ［Ｊ］．Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｓｈａｎｇｈａｉ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ， ２０１２，１８（４）：３３１—３３４．（ｉｎ Ｃｈｉｎｅｓｅ） ［５］李奇．无线通信中微带滤波器的研究与设计［Ｄ］．西安： 西安电子科技大学，０２１１． Ｕ Ｑｉ．Ｗｉｒｅｌｅｓｓ ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ ｍｉｃｒｏｓｔｒｉｐ ｆｉｌｔｅｒ ｒｅｓｅａｒｃｈ ａｎｄ ｄｅｓｉｇｎｌＤｊ．Ｘｉ ａｎ：Ｘｉｄｉａｎ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，０２１１．（ｉｎ Ｃｈｉｎｅｓｅ） ｌ６ Ｊ Ｙｅｕｎｇ Ｌ Ｋ，Ｗｕ Ｋ Ｌ．Ａ ｄｕａｌ—ｂａｎｄ ｃｏｕｐｌｅｄ—ｉｆｎｅ ｂａｌｕｎｆｉｈｅｒ 【Ｊｊ．ＴＦＥＥ Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ ｏｎ Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ Ｔｈｅｏｒｙ ａｎｄＴｅｃｈｎｉｑｕｅｓ， ２００７，５５（１１）：２４０６—２４１１． ［７ｊ Ｍａｋｉｍｏｔｏ Ｍ，Ｙａｍａｓｈｉｔａ Ｓ．Ｃｏｍｐａｃｔ ｂａｎｄ ｐａｓｓ ｆｉｌｔｅｒｓ ｕｓｉｎｇ ｓｔｅｐｐｅｄ ｉｍｐｅｄａｎｃｅ ｒｅｓｏｎａｔｏｓｒｌＪｊ．Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ ｏｆ ｔｈｅ ＩＥＥＥ， １９７９，６７（１）：１６—１９． ［８］Ｔｓｉａ Ｃ Ｍ，Ｌｅｅ Ｓ Ｙ，Ｔｓａｉ Ｃ Ｃ．Ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ ｏｆ ａ ｐｌｎａ￣ｒ ｉｆｌｔｅｒ ｕｓｉｎｇ ａ ｚｅｒｏ－ｄｅｇｒｅｅ ｆｅｅｄ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ ｌ Ｊ ｊ．ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ ｏｎ Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ Ｔｈｅｏｒｙ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，２００２，５０（１Ｏ）：２３６２—２３６７． ［９］高山山．超宽带微带带通滤波器的研究与设计［Ｄ］．成 都：电子科技大学，２００８． ＧＡＯ Ｓｈａｎ－ｓｈａｎ．Ｕｈｒａ－ｗｉｄｅｂａｎｄ ｍｉｃｍｓｔｒｉｐ ｂａｎｄｐａｓｓ ｆｉｌｔｅｒ ｒｅ— ｓｅａｒｃｈ ａｎｄ ｄｅｓｉｎｇ［Ｄ］．Ｃｈｅｎｇｄｕ：Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ ｏｆ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｓｃｉ— ｅｎｃｅ ａｎｄ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，２００８．（ｉｎ Ｃｈｉｎｅｓｅ） 作者简介： 李勇（１９ｒ７８一），男，四川苍溪人，２００５ 年于桂林电子科技大学获通信与信息系统专 业工学硕士学位，现为讲师，主要研究领域为 射频识别技术与物联网技术； ＬＩ Ｙｏｎｇ Ｗａｓ ｂｏｍ ｉｎ Ｃａｎｇｘｉ，Ｓｉｃｈｕａｎ Ｐｒｏｖｉｎｃｅ，ｉｎ １９７８．Ｈｅ ｒｅｃｅｉｖｅｄ ｔｈｅ Ｍ．Ｓ．ｄｅｇｒｅｅ ｆｒｏｍ Ｇｎｉｌｉｎ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ ｏｆ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｓｃｉｅｎｃｅ ａｎｄ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ｉｎ ２００５．Ｈｅ ｉＳ ｎｏｗ ａ ｌｅｃｔｕｒｅｒ．Ｈｉｓ ｒｅｓｅａｒｃｈ ｃｏｎｃｅｒｅｎｓ Ｒ兀Ｄ ａｎｄ Ｉｎｔｅｍｅｔ ｏｆ Ｔｈｉｎｇｓ ｔｅｃｈｎｏｌｏ￣． Ｅｍａｉｌ：２６１７８９８４＿７＠ｑｑ．ｃｏｒｎ 邹传云（１９６【卜），男，四川德阳人，教授、博士生导师。主 要研究领域为射频识别技术。 Ｚ０Ｕ Ｃｈｕａｎ—ｙｕｎ ｗａｓ ｂｏｍ ｉｎ Ｄｅｙａｎｇ。Ｓｉｃｕａｎ Ｐｒｏｖｉｎｃｅ。ｉｎ １９６０．Ｈｅ ｉＳ ｎｏｗ ｐｍｆｅｓｓｏｒ ａｎｄ ａｌｓｏ ｔｌｌｅ Ｐｈ．Ｄ．ｓｕｐｅｒｖｉｓｏｒ．Ｈｉｓ ｒｅ— ｓｅａｒｃｈ ｃｏｎｃｅｒｎｓ Ｒ兀Ｄ ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ． Ｅｍａｉｌ：ｚｏｕｃｙ＠ｓｗｕｓｔ．ｅｄｕ．ｃｎ
