专利名称：镓掺杂铁酸铋超四方相外延薄膜及其制备方法和应
用
专利类型：发明专利发明人：樊贞,谭政伟,田俊江申请号：CN201810902993.X申请日：20180809公开号：CN109161847A公开日：20190108
摘要：本发明提供一种镓掺杂铁酸铋超四方相外延薄膜及其制备方法和应用，该镓掺杂铁酸铋超四方相外延薄膜的制备方法为S1：将BiO、FeO和GaO混合后烧结压制成镓掺杂铁酸铋块；S2：将镓掺杂铁酸铋沉积在衬底上得到镓掺杂铁酸铋超四方相外延薄膜。该镓掺杂铁酸铋超四方相外延薄膜可用于制作电容器。本发明将镓掺杂到铁酸铋中，由于镓原子替代铁原子，使氧八面体畸变程度增大，c轴方向的一个氧原子向中心镓原子靠拢，而另一个则远离中心镓原子，氧八面体向氧四面锥转变，从而拉长c轴方向长度，使超四方相稳定化，使铁酸铋超四方相薄膜不受薄膜厚度、衬底应变、缓冲层等因素的限制。
申请人：华南师范大学
地址：510006 广东省广州市番禺区外环西路378号华南师范大学华南先进光电子研究院
国籍：CN
代理机构：广州骏思知识产权代理有限公司
代理人：吴静芝
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