专利名称：红外半导体激光器芯片的新型抗反射膜及其镀膜工
艺
专利类型：发明专利发明人：王昱玺,刘拓
申请号：CN201610718099.8申请日：20160824公开号：CN106207744A公开日：20161207
摘要：本发明公开了红外半导体激光器芯片的新型抗反射膜及其镀膜工艺，包括镀在半导体激光器bar条(InP)上的若干层膜层，其中，单数膜层为TaO或SiO膜层；双数膜层为SiO或TaO膜层，且单数膜层与双数膜层为材料不同的膜层，本发明的红外半导体激光器芯片的新型抗反射膜，利用化学特性稳定的TaO和SiO实现半导体激光器抗反射膜层的镀膜，实现极佳的抗反射薄膜特性，因本发明所选镀膜材料在镀膜过程中均具有稳定的化学性能，保证了镀膜的镀率稳定以及光折射率稳定，使镀膜结果与理论设计一致，进而提升产品可靠性。
申请人：陜西源杰半导体技术有限公司
地址：712000 陕西省咸阳市西咸新区沣西新城世纪大道55号清华科技园北区加速器20号厂房C区
国籍：CN
代理机构：西安通大专利代理有限责任公司
代理人：徐文权
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