专利名称：基于氮杂环基团的中性阴极缓冲层分子型材料及其
制备方法、应用
专利类型：发明专利
发明人：朱旭辉,谭婉怡,李敏,张建,刘刚,彭俊彪,曹镛申请号：CN201510278529.4申请日：20150527公开号：CN104892641A公开日：20150909
摘要：本发明公开了基于氮杂环基团的中性阴极缓冲层分子型材料以含有烷基链的芳香环为核，再在两端引入可与电极相互作用的氮杂环基团，以修饰阴极。本发明的基于氮杂环基团的中性阴极缓冲层分子型材料具有较好的溶液加工性能、良好的薄膜形貌稳定、良好的界面修饰特性，合成提纯简便、改善了阴极缓冲层与活性层之间的接触特性；并且能够有效地协助铝、银、金、ITO等金属或金属氧化物电极收集电子，避免使用在空气中不稳定的低功函数金属电极，促进器件稳定性。
申请人：华南理工大学
地址：510640 广东省广州市天河区五山路381号
国籍：CN
代理机构：广州市华学知识产权代理有限公司
代理人：陈文姬
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