专利名称：SiP层状材料及其制备方法和应用专利类型：发明专利
发明人：王佳宏,杨环环,喻学锋,喻彬璐申请号：CN202010100919.3申请日：20200219公开号：CN111342034A公开日：20200626
摘要：本发明公开了一种SiP层状材料及其制备方法和应用，该材料为层状微米带，长达数十微米，宽1‑2微米，结晶性高，其制备方法为将硅和磷单质按照一定比例充分混合均匀，加入输运剂，在真空条件下高温煅烧得到SiP材料。本发明制备得到的SiP层状材料为明显的长带状，高结晶性且具有高的储能容量，可以作为储能材料；制备方法工艺简单、成本低，产率高。
申请人：中国科学院深圳先进技术研究院
地址：518055 广东省深圳市南山区深圳大学城学苑大道1068号
国籍：CN
代理机构：北京市诚辉律师事务所
代理人：李玉娜
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