R-T-B系烧结磁体的制造方法[发明专利]

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专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：R－T－B系烧结磁体的制造方法专利类型：发明专利

发明人：野泽宣介,重本恭孝,西内武司申请号：CN201880053770.9申请日：20180921公开号：CN111052276A公开日：20200421

摘要：本发明的R－T－B系烧结磁体的制造方法包括：准备R1－T1－B系烧结体的工序；准备R2－Ga－Cu－Co系合金的工序；使上述合金的至少一部分与上述烧结体的表面的至少一部分接触，在真空或不活泼气体气氛中以700℃以上1100℃以下的温度实施第一热处理的工序；和对实施第一热处理后的R1－T1－B系烧结体在真空或不活泼气体气氛中以450℃以上600℃以下的温度实施第二热处理的工序。R1、R2为稀土元素中的至少一种且必须包含Nd和Pr的至少一者。T1相对于B的mol比([T1]/[B])超过14.0且为15.0以下。

申请人：日立金属株式会社

地址：日本东京都

国籍：JP

代理机构：北京尚诚知识产权代理有限公司

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