专利名称：用于沉积超细晶粒多晶硅薄膜的方法专利类型：发明专利
发明人：金海元,禹相浩,赵星吉,朴松焕,郑敬洙申请号：CN200980115914.X申请日：20090429公开号：CN102016115A公开日：20110413
摘要：本发明涉及一种用于沉积超细晶粒多晶硅薄膜的方法，所述方法在装载有基材的腔室中供给源气体，从而在基材上沉积多晶硅薄膜，其中所述源气体包含硅基气体、氮基气体和磷基气体。所述源气体中的氮基气体与硅基气体的混合比可为0.03以下(但不包含0)。所述薄膜中的氮可为11.3原子％以下(但不包含0)。
申请人：株式会社EUGENE科技
地址：韩国京畿道
国籍：KR
代理机构：北京三友知识产权代理有限公司
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