顶栅薄膜晶体管的制作方法及顶栅薄膜晶体管[发明专利]

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专利名称：顶栅薄膜晶体管的制作方法及顶栅薄膜晶体管专利类型：发明专利发明人：张合静,葛世民申请号：CN2016109798.1申请日：20161108公开号：CN1009842A公开日：20170215

摘要：本发明提供一种顶栅薄膜晶体管的制作方法及顶栅薄膜晶体管，所述制作方法包括如下步骤：提供一玻璃基板；在所述玻璃基板上形成氧化物半导体层，所述氧化物半导体层包括源区、漏区及沟道区；在所述氧化物半导体层上沟道区对应位置形成栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上形成栅极；在所述栅极表面、所述氧化物半导体层表面及玻璃基板表面采用化学气相沉积的方法沉积层间介质，所述源区及漏区表面导体化；形成源极及漏极，所述源极及漏极分别与所述氧化物半导体层的源区及漏区电连接。本发明的优点在于，能够在沉积层间介质时便可导体化，可以保证较高的迁移率及开态电流。

申请人：深圳市华星光电技术有限公司

地址：518132 广东省深圳市光明新区塘明大道9-2号

国籍：CN

代理机构：深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙)

代理人：黄威

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