一种提高读写速度的方法、装置及NAND闪存[发明专利]

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专利名称：一种提高读写速度的方法、装置及NAND闪存专利类型：发明专利发明人：李琪,刘从振,侯志彬申请号：CN201910990385.3申请日：20191017公开号：CN112687316A公开日：20210420

摘要：本发明实施例提供一种提高读写速度的方法、装置及NAND闪存，NAND闪存包括SRAM、与SRAM连接的N个寄存器区以及与N个寄存器区一一对应的N个充电选择信号，N个充电选择信号的周期包括延迟时间，N个充电选择信号相互之间存在时间延迟，N个充电选择信号周期中的延迟时间叠加后等于N个寄存器区的寄存器选择信号走线延迟，方法包括：接收寄存器地址；根据寄存器地址确定待进行读写操作的寄存器区；设置待进行读写操作的寄存器区对应的充电选择信号有效。本发明有效减小了SRAM读写寄存器的时间，极大提高了SRAM读写寄存器的速度。

申请人：合肥格易集成电路有限公司,西安格易安创集成电路有限公司,北京兆易创新科技股份有限公司

地址：230601 安徽省合肥市经济技术开发区清华路368号

国籍：CN

代理机构：北京润泽恒知识产权代理有限公司

代理人：莎日娜

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