专利名称：一种光刻掩模优化设计方法专利类型：发明专利
发明人：刘世元,吕稳,龚朋,周新江,许爽申请号：CN201310432991.6申请日：20130922公开号：CN103543598A公开日：20140129
摘要：本发明公开了一种光刻掩模优化设计方法，该方法首先依据表征掩模的网格格点尺寸大小对掩模进行分级，在粗网格上快速求解掩模，然后对在粗网格上求解得到的掩模进行插值传播到下一级较细网格上进行细化校正，最终实现了掩模的快速优化。
申请人：华中科技大学
地址：430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
国籍：CN
代理机构：华中科技大学专利中心
代理人：朱仁玲
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