专利名称：一种光刻掩膜版及其制备方法专利类型：发明专利发明人：唐伟,孟博,张海霞申请号：CN201110144874.0申请日：20110531公开号：CN102169287A公开日：20110831
摘要：本发明提供一种光刻掩膜版及其制备方法，该光刻掩膜版包括衬底，在衬底的一面附着有通过等离子加强化学气相淀积方法生长而成SiC薄膜，在SiC薄膜上具有光刻模版图形，位于光刻模版图形下的衬底部分被去除，使光刻模版图形区域悬空。该掩膜版的应力在0～100MPa，且具有非常好的耐腐蚀性，将其应用于模版光刻技术，替代传统的光刻胶光刻工艺。
申请人：北京大学
地址：100871 北京市海淀区颐和园路5号
国籍：CN
代理机构：北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人：李稚婷
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