一种P型硅基宽禁带材料及其制作方法[发明专利]

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专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：一种P型硅基宽禁带材料及其制作方法专利类型：发明专利

发明人：段宝兴,王雨龙,杨银堂申请号：CN201911386149.7申请日：20191229公开号：CN111020705A公开日：20200417

摘要：本发明公开了一种P型硅基宽禁带材料及其制作方法，以解决现有P型硅半导体材料禁带宽度较小问题。其基本单元是基于Si晶胞的SiCB超晶胞，x+y+z＝1，其中碳原子和硼原子进行替位式掺杂。本发明在原有硅结构的基础上控制掺杂特定浓度的C原子，提高了材料的禁带宽度，同时对该硅基宽禁带材料进行P型掺杂，可以增加半导体的载流子浓度，形成的P型半导体所制作的功率器件有更优异的电学性能；且新材料的晶格结构与基体材料一致，可适用于硅的传统工艺及装置，具有更大的应用范围。

申请人：西安电子科技大学

地址：710071 陕西省西安市太白南路2号

国籍：CN

代理机构：西安智邦专利商标代理有限公司

代理人：胡乐

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