专利名称:一种IGBT芯片及其制作方法专利类型:发明专利
发明人:刘国友,覃荣震,黄建伟,罗海辉,戴小平申请号:CN201510760751.8申请日:20151110公开号:CN105304697A公开日:20160203
摘要:本发明公开了一种IGBT芯片及其制作方法,包括至少一个元胞,其中,通过在第一常规沟槽和第二常规沟槽之间设置辅助沟槽,将第一常规沟槽和第二常规沟槽之间的间距分为两部分。而相较于第一常规沟槽和第二常规沟槽之间较大的间距,本发明中第一常规沟槽与辅助沟槽之间的间距和第二常规沟槽与辅助沟槽之间的间距,与槽栅型IGBT芯片其他相邻沟槽之间的间距的差距小,进而改善了IGBT芯片关断时载流子的抽取的均匀度,改善了IGBT芯片关断特性的软度。
申请人:株洲南车时代电气股份有限公司
地址:412001 湖南省株洲市石峰区时代路169号
国籍:CN
代理机构:北京集佳知识产权代理有限公司
代理人:王宝筠
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