专利名称：单晶硅铸锭的制造工艺和铸锭炉热场结构专利类型：发明专利
发明人：金越顺,朱卫峰,卫国军,袁华均,傅建根申请号：CN201110283625.X申请日：20110922公开号：CN102330143A公开日：20120125
摘要：单晶硅铸锭的制造工艺包括下述步骤：先在石英坩埚底部铺洒一层籽晶，上面放置多晶硅原料，并加热熔化；然后缓慢提升隔热笼，让热量从下面的热交换台散发出去，固液临界面的高度逐步上移，硅料向上长晶，最终形成固态单晶硅铸锭；保温隔热环条在加热、长晶过程中处于零位，在退火与冷却阶段则向下移动。单晶硅铸锭炉热场结构，包括炉体，石英坩埚、顶部提升装置，隔热笼，加热装置，保温材料，交换台，底部提升装置；本发明的特点是：控制隔热笼的提升速度来完成硅材料长晶，通过升降保温隔热环条来保护固态籽晶和确保整个铸锭均匀退火。优点是：获得大容量的单晶硅铸锭，既增加了单晶硅单锭产量，又提高了硅片的光电转化效率。
申请人：浙江精功新能源有限公司
地址：312030 浙江省绍兴市绍兴县柯桥经济开发区鉴湖西路1809号
国籍：CN
代理机构：绍兴市越兴专利事务所
代理人：蒋卫东
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